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    國產90nm閃存量產:10萬次壽命 25年數據保存

    2019-06-28 13:20 來源:快科技 編輯:Janet

    我國每年進口的存儲芯片價值1000億美元,NAND閃存及DRAM內存都要依賴進口,目前國產閃存芯片的希望就是紫光集團在武漢及成都兩處各自投資240億美元的存儲器基地了,不過真正規模量產還需要一年甚至更長時間。

    目前國內也有一些公司研發了用于特定行業的閃存芯片,比如兆易創新的NOR閃存,其他還有一些嵌入式閃存。上海華虹半導體今天宣布其第三代90納米嵌入式閃存(90nm eFlash)工藝平臺已成功實現量產。

    國產90nm閃存量產:10萬次壽命 25年數據保存

    根據華虹資料,華虹半導體一直深耕嵌入式非揮發性存儲器技術領域,通過不斷的技術創新,第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺的Flash元胞尺寸較第二代工藝縮小近40%,再創全球晶圓代工廠90納米工藝節點嵌入式閃存技術的最小尺寸紀錄。Flash IP具有更明顯的面積優勢,使得芯片整體面積進一步減小,從而在單片晶圓上獲得更多裸芯片數量。與此同時,光罩層數也隨之進一步減少,有效縮短了流片周期。而可靠性指標繼續保持著高水準,可達到10萬次擦寫及25年數據保持能力。

    近年來,華虹半導體在90納米工藝節點連續成功推出三代閃存工藝平臺,在保持技術優勢的同時,不斷探求更高性價比的解決方案。第三代工藝平臺的大規模穩定量產,為電信卡、Ukey、交通卡等智能卡和安全芯片產品以及微控制器(MCU)等多元化產品提供持續穩定的支持和解決方案。

    華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示:“華虹半導體是嵌入式非易失性存儲器技術的領航者,未來將繼續聚焦200mm差異化技術的研發創新,面向高密度智能卡與高端微控制器市場,同時不斷致力于在功耗和面積方面提供顯著的優化,將200mm現有的技術優勢向300mm延伸,更好地服務國內外半導體芯片設計公司,滿足市場需求。”

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